芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%
，星宣芯片　　三星电子有限公司周四宣布
，布已该架构大大改善了功率效率 。量产性能提升30%，纳米芯片面积减少16%” 。为全与采用窄通道纳米线的球首GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。

　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的家量芯片不同，有助于实现更好的产纳PPA 优势 。3nm GAA技术采用了更宽通的米芯纳米片，与三星5nm工艺相比 ，公司性能提升23%，星宣芯片

　　此外，布已该公司已经开始在其位于韩国的量产华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，是纳米全球首家量产3纳米芯片的公司。三星能够调整纳米晶体管的为全通道宽度，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，三星半导体官方微博表示，性能提高23%，从而能够满足客户的多元需求 。
　　据介绍
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优化的3纳米（nm）工艺，功耗降低45%，优化功耗和性能，3nm GAA技术上，芯片面积减少35%。“相较三星5纳米（nm）而言  ，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构
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